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元件参数资料
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参数目录42028
> CSD23201W10 MOSFET P-CH 12V 2.2A 4DSBGA
型号:
CSD23201W10
RoHS:
无铅 / 符合
制造商:
Texas Instruments
描述:
MOSFET P-CH 12V 2.2A 4DSBGA
详细参数
数值
产品分类
分离式半导体产品 >> FET - 单
CSD23201W10 PDF
产品培训模块
NexFET MOSFET Technology
视频文件
NexFET Power Block
PowerStack? Packaging Technology Overview
产品目录绘图
CSD2320 Series P-Channel
标准包装
1
系列
NexFET™
FET 型
MOSFET P 通道,金属氧化物
FET 特点
逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)
12V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C
2.2A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C
82 毫欧 @ 500mA,4.5V
Id 时的 Vgs(th)(最大)
1V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs
2.4nC @ 4.5V
输入电容 (Ciss) @ Vds
325pF @ 6V
功率 - 最大
1W
安装类型
表面贴装
封装/外壳
4-UFBGA,DSBGA
供应商设备封装
4-DSBGA(1x1)
包装
剪切带 (CT)
产品目录页面
1623 (CN2011-ZH PDF)
其它名称
296-24258-1
查看CSD23201W10代理商
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